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功率半導(dǎo)體器件以功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（功率MOSFET，常簡(jiǎn)寫(xiě)為功率MOS）、絕緣柵雙極晶體管（IGBT）以及功率集成電路（power IC，常簡(jiǎn)寫(xiě)為PIC）為主。這些器件或集成電路能在很高的頻率下工作，而電路在高頻工作時(shí)能更節(jié)能、節(jié)材，能大幅減少設(shè)備體積和重量。尤其是集成度很高的單片片上功率系統(tǒng)（power system on a chip，簡(jiǎn)寫(xiě)PSOC），它能把傳感器件與電路、信號(hào)處理電路、接口電路、功率器件和電路等集成在一個(gè)硅芯片上，使其具有按照負(fù)載要求精密調(diào)節(jié)輸出和按照過(guò)熱、過(guò)壓、過(guò)流等情況自我進(jìn)行保護(hù)的智能功能。國(guó)際專(zhuān)家把它的發(fā)展喻為第二次電子學(xué)革命。
